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尺寸最小+功耗最低,三星即将宣布MRAM重要突破

新型存储之MRAM资讯

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发表时间:2022-11-02 15:01作者:全球芯 | glochip.com来源:Netsol | MRAM | SRAM网址:http://glochip.com/news/

据外媒报道,三星电子即将在国际电子器件会议(IEDM)上报告其在新一代非易失性存储器件领域的最新研究进展。

会议接收的资料显示,三星研究人员在14nm FinFET逻辑工艺平台上实现了磁性隧道结堆叠的磁阻式随机存取存储器(MRAM)制造,据称是目前世界上尺寸最小、功耗最低的非易失性存储器。

该团队采用三星28nm嵌入式MRAM,并将磁性隧道结扩展到14nm FinFET逻辑工艺。三星研究人员将在12月召开的国际电子器件会议上就此进行报告。

论文中提到,该团队生产了一个独立的存储器,其写入能量要求为每比特25pJ,读取的有效功率要求为14mW,写入的有效功率要求为27mW,数据速率为每秒54Mbyte。

为了实现这一性能,研究团队将磁性隧道结缩小到三星的14nm FinFET逻辑平台,与上一代28nm节点的MRAM相比,面积增加了33%,读取时间加快了2.6倍。

该研究的目标之一是证明嵌入式MRAM作为高速缓存存储器适用于依赖大型数据集和分析的应用,例如边缘AI。


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