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sram和dram的区别和联系

新型存储之MRAM资讯

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发表时间:2022-12-01 09:20作者:全球芯 | glochip.com来源:Netsol | MRAM | SRAM网址:http://glochip.com/news/
文章附图

静态随机存取存储器 (SRAM)数据存储在晶体管中,需要恒定的功率流。动态随机存取存储器 (DRAM): 数据存储在电容器中。它们都是集成电路RAM的模式,不过也有不同,例如 SRAM 比 DRAM 相对更快,因此 SRAM 用于高速缓存,而 DRAM 用于主存储器。SRAM的存储容量为1MB到16MB,而DRAM 的存储容量为 1 GB 至 16 GB。



RAM(Random Access Memory)是一种需要持续供电才能将数据保存在其中的存储器,一旦断电,数据就会丢失,因此被称为易失性存储器。在 RAM 中的读取和写入既简单又快速,并且通过电信号完成。



SRAM的定义



SRAM(静态随机存取存储器)由CMOS 技术组成,使用六个晶体管。它的结构由两个交叉耦合的反相器组成,用于存储数据(二进制),类似于触发器和额外的两个晶体管用于访问控制。它比 DRAM 等其他 RAM 类型相对更快。它消耗更少的电力。SRAM只要通电就可以保存数据。



DRAM的定义



DRAM(动态随机存取存储器)也是一种使用电容器和少量晶体管构成的 RAM。电容器用于存储数据,其中位值 1 表示电容器已充电,位值 0 表示电容器已放电。电容器容易放电,导致电荷泄漏。



动态项表示即使在持续供电的情况下,电荷也会不断泄漏,这就是它消耗更多电力的原因。要长时间保留数据,需要反复刷新,这需要额外的刷新电路。由于泄漏电荷,即使打开电源,DRAM 也会丢失数据。DRAM 具有更高的容量并且更便宜。对于单个内存块,它只需要一个晶体管。



SRAM 和 DRAM 之间的主要区别



  1. SRAM是访问时间短的片上存储器,DRAM是访问时间长的片外存储器。因此 SRAM 比 DRAM 快。

  2. DRAM 的存储容量更大,而 SRAM 的尺寸更小。

  3. SRAM很贵,而 DRAM 很便宜。

  4. 高速缓冲存储器是SRAM的一种应用。相反,DRAM用于主存储器。

  5. DRAM高度密集。相反,SRAM 比较少见。

  6. 由于使用了大量的晶体管,SRAM的结构很复杂。相反,DRAM易于设计和实现。



7.在 SRAM 中,单个内存块需要六个晶体管,而 DRAM 只需要一个晶体管用于单个内存块。



8.DRAM之所以被命名为动态的,是因为它使用的电容器会产生泄漏电流,因为电容器内部用于分隔导电板的电介质不是完美的绝缘体,因此需要电源刷新电路。另一方面,SRAM中不存在电荷泄漏的问题。



9.DRAM 的功耗比 SRAM 高。SRAM 的工作原理是改变通过开关的电流方向,而 DRAM 的工作原理是保持电荷。



结论



DRAM是SRAM的后代。DRAM 旨在克服 SRAM 的缺点;设计人员减少了一位内存中使用的内存元件,从而显着降低了 DRAM 成本并增加了存储面积。但是,DRAM 速度慢且比 SRAM 消耗更多功率,它需要在几毫秒内频繁刷新以保留电荷。


文章分类: SRAM
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