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非易失MRAM是BBSRAM/FRAM是最好的替代产品

新型存储之MRAM资讯

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发表时间:2022-12-05 17:18作者:全球芯 | glochip.com来源:Netsol | MRAM | SRAM网址:http://glochip.com/news/

MRAM是电池储备电源SRAM(BBSRAM)理想的替代产品。Everspin MRAM高速非易失性存储器,使用寿命几乎无限。所具有的综合性能是任何其他半导体存储器件都不能全部拥有的。


MRAM这是一种基于隧穿磁阻效应的技术,MRAM所选工艺比现有工艺DRAM和更复杂,成本会更高。但它有现有的SRAM和DRAM没有的特点,随着应用规模的逐渐扩大,成本会逐渐降低。

磁阻随机存储器是一种采用新技术的随机存储器。它使用磁致电电阻效应来保存信息,因此它的速度可以和SRAM比,但同时也可和FLASH断电后还可以保留数据。

MRAM技术特点:
不容易丢失:铁磁体的磁带不会因为断电而消失,所以MRAM具有非易失性。
读写频率次数无限:铁磁体的磁化不仅断电不会消退,而且几乎可以认为它永远不会消失,所以MRAM和DRAM同样可以无限重写。
写入速度快,功耗低:MRAM写入时间可以低至2.3ns,而且功耗极低,可以实现瞬时开关机,增加便携机电池的使用时间。
逻辑芯片整合度高:MRAM可以很容易地放入逻辑电路芯片中,只需要在后端金属化过程中改进一两个步骤。MRAM可以完全制成芯片的金属层,甚至可以实现2-3层单元的堆叠,因此在逻辑电路上具有结构规模内存阵列的潜力。

MRAM特性较好,但临界电流强度和功耗仍需进一步降低。MRAM存储单元规格仍较大,不适合堆叠,工艺复杂,大规模制造难以保证均匀性,存储容量和产量上坡缓慢。在进一步突破这一过程之前,MRAM商品主要适用于体积要求低的特殊应用领域及其新型IoT嵌入式存储行业。




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