搜索
新闻详情

SK海力士第五代10纳米级DDR5 DRAM全球首次开始数据中心兼容性验证

8
发表时间:2023-05-31 09:16作者:全球芯 | glochip.com网址:http://glochip.com/news/

实现现有DDR5 DRAM最高运行速度和基于‘HKMG’工艺的超低功耗

· 期待成功完成最高性能的1b DDR5 DRAM 产品验证

· “开始量产最先进的1b工艺,以业界最高DRAM竞争力水平改善今年下半年业绩”

· 明年上半年将把1b工艺扩大适用于LPDDR5T、HBM3E等高性能产品

2023年5月30日,SK海力士宣布,已完成现有DRAM中最为微细化的第五代10纳米级(1b)技术研发,并将适用其技术的DDR5服务器DRAM提供于英特尔公司(Intel®)开始了“英特尔数据中心存储器认证程序(The Intel Data Center Certified memory program)”。

此程序是英特尔的服务器用第四代至强®可扩展平台*( Intel® Xeon® Scalable platform)所采用的存储器产品兼容性的正式认证流程。

SK海力士向英特尔提供的DDR5 DRAM产品运行速度高达6.4Gbps(每秒6.4千兆比特),公司技术团队实现了目前市面上DDR5 DRAM的最高速度。与DDR5 DRAM初期阶段的试制品*相比,数据处理速度提升了33%。

另外,公司在此次1b DDR5 DRAM上采用了“HKMG(High-K Metal Gate)”*工艺,与1a DDR5 DRAM相比功耗减少了20%以上。

SK海力士强调:“通过1b技术的研发成功,将可向全球客户供应高性能与高效能功耗比*兼备的DRAM产品。”

SK海力士DRAM开发担当副社长金锺焕说道:“就如于公司在今年1月将第四代10纳米级(1a)DDR5服务器DRAM适用到英特尔®第四代至强®可扩展处理器(4th Gen Intel® Xeon® Scalable processors),并在业界首次获得认证,此次1b DDR5 DRAM产品验证也会成功完成。”

金副社长又说到:“有预测称从今年下半年起存储器市场状况将得到改善,公司将以1b工艺量产等业界最高的DRAM竞争力水平加速改善今年下半年业绩。又计划在明年上半年将最先进的1b工艺扩大适用于LPDDR5T和HBM3E*产品。”

英特尔公司存储器I/O技术部门副总裁Dimitrios Ziakas表示:“英特尔公司为了DDR5 DRAM和英特尔平台间的兼容性验证,在与存储器行业紧密合作。SK海力士的1b DDR5 DRAM将适用于英特尔的新一代至强®可扩展平台,为此业界首次进行着英特尔数据中心存储器认证程序。”

另外,SK海力士表示,为了将已完成一轮兼容性验证的1a DDR5 DRAM适用于英特尔下一代至强®可扩展平台的追加认证流程也正在同步进行中。

<SK海力士DDR5 DRAM开发成果>

– 2020年10月,推出全球首款DDR5 DRAM

– 2021年12月,全球首次提供24Gb DDR5 DRAM样品

– 2023年1月,全球首获1a DDR5服务器DRAM英特尔认证

– 2023年4月,全球首次向英特尔提供1b DDR5服务器DRAM样品

*DDR5 DRAM初期阶段试制品的运行速度为4.8Gbps(每秒4.8千兆比特),JEDEC标准中DDR5的最高运行速度为8.8Gbps。

*HKMG(High-K Metal Gate): 在DRAM晶体管内的绝缘膜上采用高K栅电介质,在防止漏电的同时还可以改善电容(Capacitance)的新一代工艺。不仅可以提高内存速度,还可降低功耗。SK海力士于去年11月推出了在移动DRAM上全球首次采用HKMG工艺的8.5Gbps LPDDR5X。在今年1月推出的9.6Gbps LPDDR5T移动DRAM也采用了HKMG工艺。

*效能功耗比:每一定单位功率每秒可处理的数据容量指标

*HBM3E(HBM3 Extended):HBM以第一代(HBM)-第二代(HBM2)-第三代(HBM2E)-第四代(HBM3)的顺序开发,HBM3的下一代产品为第五代HBM3E。SK海力士计划在今年下半年准备具备8Gbps数据传输性能的HBM3E样品,并将于明年投入量产。


首页                                    产品展示                                        行业资讯                                   关于我们                                        联系我们
联系电话:
0755-84828852  
0755-84866816

联系方式: 手机号码:13924642346  13872769588
                13924649321  13928483205 联系邮箱:kevin@glochip.com
公司地址:
广东省深圳市龙岗区大运软件小镇1栋401室
(3号线,14号线,16号线,33号线)
网址:www.glochip.com   www.chip.com.cn
全球芯微信公众号
加密芯片 华芯微特   艾迪科泰    博雅科技    恒烁半导体    补丁科技    晶存科技   华大电子    康盈半导体     三星半导体   海力士  镁光科技     南亚科技  铠侠  金士顿   Skyhigh  Netsol
MCU  SRAM MRAM SDRAM DDR1 DDR2 DDR3 DDR4 DDR5 LPDDR3 LPDDR4 LPDDR4X LPDDR5 LPDDR5X NAND NOR eMMC UFS eMCP uMCP