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芯片制造商Netsol推出STT-MRAM

新型存储之MRAM资讯

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发表时间:2023-07-19 15:13作者:全球芯 | glochip.com来源:Netsol | MRAM | SRAM网址:http://glochip.com/news/
文章附图

STT-MRAM是一种先进的磁阻,它利用电子自旋的磁性在半导体中提供非易失性。MRAM代表磁阻随机存取存储器,是一种使用磁状态而不是DRAM等设备使用的电荷来存储数据位的方法。

STT-MRAM由三星电子公司的代工厂制造,得益于三星代工厂的28纳米FD-SOI工艺,Netsol MRAM拥有低功耗和更紧凑的尺寸。大规模生产STT-MRAM,在从物联网到医疗和汽车的广泛行业提供替代品。

Netsol的MRAM具有非易失特性和几乎无限的耐用性。对于需要使用最少数量的引脚来快速存储、检索数据和程序的应用程序而言,是最为理想的存储器。适用于工业设备中的代码存储、数据记录、备份和工作存储器。可替代Flash、FeRAM、nvSRAM等,具有卓越的性能和非易失特性。



容量包括1Mb、2Mb、4Mb、8Mb、16Mb、32Mb,具有SDR和DDR串行接口兼容性的单线、双线和四线SPI。数据保存期10年,拥有无限读取耐力,写入耐力1014无需外部ECC,工业标准引脚及封装8WSON、8SOP。样品测试及规格书详情联系代理英尚微电子。

Netsol 串行MRAM



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