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晶存科技(Rayson)

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深圳市晶存科技有限公司

深圳市晶存科技有限公司成立于2016年,是一家集设计、研发、封装、测试和销售于一体的存储芯片高新技术企业,总部位于深圳,在珠海设有芯片研发全资子公司,在香港设有子公司,在上海设有分公司。

公司拥有自主品牌Rayson,涵盖eMMC、DDR3、DDR4、LPDDR4/4X、LPDDR5、eMCP和uMCP等嵌入式产品,广泛应用于手机、平板、OTT盒子、TV、车载、人工智能和物联网等多个领域。

公司拥有18年以上行业经验的核心团队,始终聚焦存储芯片产品,致力于为客户提供高性价比的存储芯片以及存储解决方案,立志为中国存储产业发展做出杰出的贡献!


DDR3


料号容量位宽速率工作电压工作温度封装工作状态
RS512M16VADF-107AT8Gb512M x 161866Mbps1.5V0~85℃FBGA 96Mass Production
RS256M16V0DB-107AT4Gb256M x 161866Mbps1.5V0~85℃FBGA 96Mass Production
RS128M16V8DB-107AT2Gb128M x 161866Mbps1.5V0~85℃FBGA 96Mass Production
RS128M16VMDC-107AT2Gb128M x 161866Mbps1.5V0~85℃FBGA 96Mass Production




DDR4


料号容量位宽速率工作电压工作温度封装工作状态
RS256M16Z0DC-75DT4Gb256M x 162667Mbps1.2V0~85℃FBGA 96Mass Production
RS256M16ZADD-75DT4Gb256M x 162667Mbps1.2V0~85℃FBGA 96Mass Production
RS512M16Z2DD-62DT8Gb512M x 163200Mbps1.2V0~85℃FBGA 96Mass Production
RS1G16Z3DK-62DT16Gb1G x 163200Mbps1.2V0~85℃FBGA 96Mass Production




LPDDR3


料号容量位宽速率工作电压工作温度封装工作状态
RS512M32LD3D2LMZ-125BT16Gbx 321866Mbps1.8 / 1.2 / 1.2V-25~85℃FBGA 178Mass Production
RS256M32LD3D2LMZ-125BT8Gbx 321600Mbps1.8 / 1.2 / 1.2V-25~85℃FBGA 178Mass Production
RS256M32LD3D1LMZ-125BT8Gbx 321866Mbps1.8 / 1.2 / 1.2V-25~85℃FBGA 178Mass Production
RS128M32LD3D1LMZ-125BT4Gbx 321600Mbps1.8 / 1.2 / 1.2V-25~85℃FBGA 178Mass Production


LPDDR4/4X


料号容量位宽速率工作电压工作温度封装工作状态
RS1536M32LB4D4BDT-53BT48Gbx 323733Mbps1.8 / 1.1 / 0.6V-25~85℃FBGA 200Engineering Sample
RS768M32LB4D2BDS-53BT24Gbx 323733Mbps1.8 / 1.1 / 0.6V-25~85℃FBGA 200Mass Production
RS768M32LA4D4BDT-53BT24Gbx 323733Mbps1.8 / 1.1 / 0.6V-25~85℃FBGA 200Mass Production
RS1G32LM4D4BDT-53BT32Gbx 323733Mbps1.8 / 1.1 / 0.6V-25~85℃FBGA 200Mass Production
RS512M32LM4D2BDS-53BT16Gbx 323733Mbps1.8 / 1.1 / 0.6V-25~85℃FBGA 200Mass Production
RS768M32LZ4D4ANQ-75BT24Gbx 322667Mbps1.8 / 1.1 / 1.1V-25~85℃FBGA 200Mass Production
RS512M32LZ4D2ANP-75BT16Gbx 322667Mbps1.8 / 1.1 / 1.1V-25~85℃FBGA 200Mass Production
RS256M32LZ4D1ANP-75BT8Gbx 322667Mbps1.8 / 1.1 / 1.1V-25~85℃FBGA 200Mass Production
RS128M32LZ4D1ANP-75BT4Gbx 322667Mbps1.8 / 1.1 / 1.1V-25~85℃FBGA 200Mass Production
RS384M32LZ4D2ANP-75BT12Gbx 322667Mbps1.8 / 1.1 / 1.1V-25~85℃FBGA 200Mass Production
RS384M32LA4D2BDS-53BT12Gbx 323733Mbps1.8 / 1.1 / 0.6V-25~85℃FBGA 200Mass Production
RS256M32LZ4D2BNP-62BT8Gbx 323200Mbps1.8 / 1.1 / 0.6V-25~85℃FBGA 200Mass Production
RS512M32LO4D1BDS-53BT16Gbx 323733Mbps1.8 / 1.1 / 0.6V-25~85℃FBGA 200Mass Production
RS512M32LS4D2BDS-53BT16Gbx 323733Mbps1.8 / 1.1 / 0.6V-25~85℃FBGA 200
RS768M32LP4D2BDS-53BT24Gbx 323733Mbps1.8 / 1.1 / 0.6V-25~85℃FBGA 200Mass Production
RS1G32LO4D2BDS-53BT32Gbx 323733Mbps1.8 / 1.1 / 0.6V-25~85℃FBGA 200Mass Production
RS1G32LF4D2BDS-53BT32Gbx 323733Mbps1.8 / 1.1 / 0.6V-25~85℃FBGA 200Mass Production
RS2G32LF4D4BDT-53BT64Gbx 323733Mbps1.8 / 1.1 / 0.6V-25~85℃FBGA 200Mass Production


eMMC



料号容量协议工作温度封装工作状态
RSE17TAA-32G32GBeMMC 5.1-25~85℃FBGA 153Mass Production
RSE16TAA-16G16GBeMMC 5.1-25~85℃FBGA 153Mass Production
RSE15TAA-08G8GBeMMC 5.0-25~85℃FBGA 153Mass Production


eMCP


料号容量协议eMMCDRAM工作温度封装工作状态
-64GB+4GBeMMC 5.13D TLCLPDDR30~85℃FBGA 221Mass Production
-32GB+3GBeMMC 5.13D TLCLPDDR4X0~85℃FBGA 254Mass Production
-64GB+4GBeMMC 5.13D TLCLPDDR4X0~85℃FBGA 254Mass Production
-64GB+6GBeMMC 5.13D TLCLPDDR4X0~85℃FBGA 254Mass Production
-128GB+4GBeMMC 5.13D TLCLPDDR4X0~85℃FBGA 254Mass Production










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